5月10日消息，對(duì)于國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體廠商來(lái)說(shuō)，未來(lái)很長(zhǎng)時(shí)間想要生產(chǎn)7nm及其以下的芯片依然是困難的。
半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)（SIA）和波士頓咨詢(xún)公司（BCG）的報(bào)告顯示，2032年中國(guó)將生產(chǎn)28%的10nm以下芯片，但先進(jìn)制程預(yù)計(jì)只有2%。
與中國(guó)一樣，美國(guó)目前也不具備生產(chǎn)10nm以下芯片的能力，但這對(duì)于他們來(lái)說(shuō)問(wèn)題并不大，臺(tái)積電、三星等都已經(jīng)開(kāi)始在其本土建廠。
預(yù)計(jì)未來(lái)十年，美國(guó)的芯片生產(chǎn)能力將增長(zhǎng)203%。到2032年，美國(guó)的芯片生產(chǎn)能力將占全球總生產(chǎn)能力的14%。
SIA總裁兼首席執(zhí)行官約翰-諾伊弗說(shuō)：'中國(guó)似乎在所謂的傳統(tǒng)芯片上投入了更多精力。'
報(bào)告中也看到，對(duì)于10至22nm的芯片，到2032年，中國(guó)的生產(chǎn)能力份額將增加兩倍，從6%增加到19%。
對(duì)于28nm以上的芯片，預(yù)計(jì)中國(guó)的份額增幅最大，將從2022年的33%增至2032年的37%。
報(bào)告預(yù)計(jì)，中國(guó)只能生產(chǎn)全球最先進(jìn)芯片的2%（7nm及其以下）。
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中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)恐因這原因，在 7nm之后節(jié)點(diǎn)上被拉遠(yuǎn)距離
隨著三星 10 納米制程借高通驍龍 835 處理器的亮相，以及由臺(tái)積電 10 納米制程所生產(chǎn)的聯(lián)發(fā)科 Helio X30 處理器，在魅族 Pro 7 系列手機(jī)首發(fā)，之后還有海思的麒麟 970 及蘋(píng)果 A11 處理器的加持下，手機(jī)處理器的 10 納米制程時(shí)代可說(shuō)是正式展開(kāi)。而對(duì)于下一代的 7 納米制程，當(dāng)前來(lái)看，應(yīng)該仍是三星與臺(tái)積電兩大龍頭的天下。由于在 7 納米制程中，極其依賴(lài)的極紫外光（ EUV） 設(shè)備，中國(guó)廠商在短期間內(nèi)仍無(wú)法購(gòu)買(mǎi)到。 這對(duì)于正積極建構(gòu)自身半導(dǎo)體生產(chǎn)能量的中國(guó)來(lái)說(shuō)，將可能在 7 納米這個(gè)制程節(jié)點(diǎn)上被拉遠(yuǎn)距離。 事實(shí)上，對(duì)于 7 納米制程，三星和臺(tái)積電兩大晶圓代工龍頭都早已入手布局，以便爭(zhēng)奪 IC 設(shè)計(jì)業(yè)
[半導(dǎo)體設(shè)計(jì)/制造]
GF CEO：半導(dǎo)體將迎來(lái)"黃金十年"，7nm FinFET預(yù)計(jì)2019量產(chǎn)
GlobalFoundries首席CEO?Sanjay?Jha?30日在MWC上海指出，非常看好大陸市場(chǎng)將從世界制造工廠轉(zhuǎn)型成為人工智能(AI)創(chuàng)新匯聚之地。他說(shuō)，超大型數(shù)據(jù)中心與AI應(yīng)用帶來(lái)大量的影片語(yǔ)音傳輸與存儲(chǔ)器需求，將帶給未來(lái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新的“黃金十年”。下面就隨半導(dǎo)體小編一起來(lái)了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。 過(guò)去曾任高通CEO的Sanjay?Jha演講一開(kāi)場(chǎng)也從智能手機(jī)應(yīng)用角度切入。他表示，過(guò)去這1、2年內(nèi)技術(shù)猛進(jìn)帶來(lái)令人興奮的前景，智能手機(jī)帶來(lái)人們生活與科技使用習(xí)慣的改變，手機(jī)存儲(chǔ)器容量不斷提升，人們通過(guò)社交媒體互聯(lián)，全球人口中每間隔2.3人，人際關(guān)系就有所相連;他指出，未來(lái)大型數(shù)據(jù)中心對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行收集、分析、以及需要傳輸
[半導(dǎo)體設(shè)計(jì)/制造]
AMD 7nm工藝再添新利器，V2000系列嵌入式處理器問(wèn)市
11月10日，AMD官方宣布其高性能嵌入式處理器家族中有了一款新產(chǎn)品，即AMD Ryzen?Embedded V2000系列處理器。 AMD Ryzen嵌入式V2000系列采用7nm工藝技術(shù)，Zen 2內(nèi)核，配備多達(dá)8個(gè)CPU內(nèi)核和7個(gè)GPU計(jì)算單元，參數(shù)與型號(hào)如下： AMD Ryzen嵌入式V2000系列處理器還繼續(xù)提供高級(jí)安全功能，支持AMD Memory Guard，包括安全啟動(dòng)和安全內(nèi)存加密。 AMD V2000系列嵌入式處理器相比上代單線程提高30%，圖形性能最高提升40%。Ryzen嵌入式V2000系列可以支持4個(gè)4K分辨率的顯示器的輸出。
[嵌入式]
IBM最新7nm Power10芯片由三星代工
IBM周一宣布推出一種用于數(shù)據(jù)中心的新型處理器芯片Power 10，性能是上一代的三倍。 Power10將使用三星的7納米芯片制造工藝。如今，IBM和AMD都使用代工廠，這和老對(duì)手英特爾不同，后者是數(shù)據(jù)中心中央處理器芯片的主要提供商，并且是為數(shù)不多的IDM廠商之一。 不過(guò)，英特爾最近表示，其下一代制造技術(shù)面臨延遲，并準(zhǔn)備采用臺(tái)積電的最先進(jìn)技術(shù)來(lái)代工，分析師認(rèn)為，延遲將使其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手獲得市場(chǎng)份額。 IBM長(zhǎng)期以來(lái)一直專(zhuān)注于高性能計(jì)算系統(tǒng)，全球最快的十大超級(jí)計(jì)算機(jī)中有三臺(tái)使用其芯片。該公司周一表示，Power10芯片在人工智能計(jì)算任務(wù)上的設(shè)計(jì)比其前身要快，其工作速度是上一代芯片的20倍。
[半導(dǎo)體設(shè)計(jì)/制造]
臺(tái)積電7nm明年底量產(chǎn)時(shí)將累計(jì)50個(gè)設(shè)計(jì)定案
臺(tái)積電在 19 日的法說(shuō)會(huì)中，法人們依舊關(guān)心的是臺(tái)積電在先進(jìn)制程上的發(fā)展進(jìn)度。 臺(tái)積電共同執(zhí)行長(zhǎng)劉德音表示，當(dāng)前 10 奈米制程在 2017 年第 3 季出貨占臺(tái)積電總晶圓銷(xiāo)售金額的 10%，在未來(lái)第 4 季比例將提高到 20%。 至于，7 奈米制程的部份，目前仍按照計(jì)劃進(jìn)行中。 其中，7 奈米制程將在 2018 年上半年試產(chǎn)，第 2 季正式進(jìn)入量產(chǎn)階段。 而 7 奈米 + 制程則會(huì)在 2018 年試產(chǎn)。 更先進(jìn)的 5 奈米則預(yù)計(jì)在 2019 年試產(chǎn)，2020 年正式量產(chǎn)。 劉德音指出，臺(tái)積電 7 奈米預(yù)計(jì)在 2018 年第 2 季開(kāi)始量產(chǎn)，會(huì)成為 2018 年整體業(yè)績(jī)持續(xù)成長(zhǎng)的動(dòng)能。 臺(tái)積電也期望未來(lái)幾年?duì)I收，都會(huì)依照之
[手機(jī)便攜]
7nm大戰(zhàn)在即 買(mǎi)不到EUV光刻機(jī)的大陸廠商怎么辦？
基于三星10nm制程工藝的驍龍835早已隨著三星S8、小米6等一眾手機(jī)面世，而基于臺(tái)積電10nm制程工藝的聯(lián)發(fā)科Helio X30也和魅族Pro 7系列手機(jī)一起亮相了。除此之外麒麟970及A11處理器將于今秋和消費(fèi)者見(jiàn)面，各家產(chǎn)品雖有強(qiáng)有弱但手機(jī)芯片的10nm時(shí)代已經(jīng)展開(kāi)，下一步就是向 7nm 推進(jìn)，工藝推動(dòng)者無(wú)疑就是三星和臺(tái)積電這兩家已較勁了幾代制程的業(yè)者了。下面就隨手機(jī)便攜小編一起來(lái)了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。 對(duì)于 7nm 制程工藝，三星和臺(tái)積電兩大晶圓代工領(lǐng)域巨頭都早已入手布局以便爭(zhēng)搶IC設(shè)計(jì)業(yè)者們的訂單。其中三星原定于明年破土動(dòng)工的韓國(guó)華城18號(hào)生產(chǎn)線動(dòng)工時(shí)間已被提前到了今年11月，以便在2019年能夠進(jìn)入 7nm
[手機(jī)便攜]
英特爾宣布將在2020年到2021年間量產(chǎn)7nm
電子網(wǎng)：根據(jù)外電指出，半導(dǎo)體大廠英特爾（intel）在一項(xiàng)針對(duì)投資者的說(shuō)明會(huì)中表示，他們將會(huì)在 2020 年量產(chǎn) 7 奈米制程處理器。 這個(gè)時(shí)間點(diǎn)相較于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電、格羅方德、三星預(yù)計(jì)將在 2018 年量產(chǎn) 7 奈米的時(shí)程來(lái)說(shuō)來(lái)說(shuō)，已經(jīng)是晚了 2 年的時(shí)間。 但是，英特爾在宣布此項(xiàng)計(jì)劃的當(dāng)下還有其但書(shū)，那就是萬(wàn)一制程發(fā)展不順利的情況下，還將延后到 2021 年正式量產(chǎn)。 報(bào)導(dǎo)指出，相較臺(tái)積電、三星在 10 奈米制程，以及未來(lái)的 7 奈米、甚至 5 奈米制程技術(shù)上的推進(jìn)，英特爾在新制程的轉(zhuǎn)換上是要落后一到兩年時(shí)間。 盡管英特爾對(duì)此說(shuō)法表示不服氣，還表示其他家的半導(dǎo)體制程有跨大的地方。 就 14 奈米、10 奈米等制程在技術(shù)先進(jìn)
[半導(dǎo)體設(shè)計(jì)/制造]
精測(cè)：10nm為今年主力，7nm需求明年浮現(xiàn)
臺(tái)股股后精測(cè)（6510）今日舉行在線法說(shuō)會(huì)，公司預(yù)期10奈米應(yīng)用處理器（AP）產(chǎn)品將是今年主力，7奈米應(yīng)用需求明年才會(huì)浮現(xiàn)。而為因應(yīng)未來(lái)7奈米以下測(cè)試需求，公司研發(fā)費(fèi)用及整體營(yíng)業(yè)費(fèi)用率預(yù)期將維持一定比例，以維持整體競(jìng)爭(zhēng)力。 至于營(yíng)運(yùn)總部建置規(guī)畫(huà)部分，精測(cè)預(yù)期7月底、8月初將正式動(dòng)土，興建時(shí)間需花費(fèi)2年，啟用時(shí)間估落于2019年中。 為充實(shí)營(yíng)運(yùn)資金及建廠投資需求，公司規(guī)畫(huà)辦理現(xiàn)增發(fā)行2000張普通股，將提請(qǐng)6月8日股東常會(huì)表決通過(guò)后，再向主管機(jī)關(guān)遞交申請(qǐng)。 精測(cè)目前營(yíng)業(yè)費(fèi)用率約25％，財(cái)務(wù)長(zhǎng)許憶萍說(shuō)明，主要因持續(xù)開(kāi)發(fā)新工法及新設(shè)計(jì)案，加上公司產(chǎn)品高度客制化，鎖定金字塔頂端的成長(zhǎng)契機(jī)，需投入關(guān)鍵組件材料及半導(dǎo)體先進(jìn)制程的研發(fā)。 同時(shí)，
[半導(dǎo)體設(shè)計(jì)/制造]
JEP122-A 半導(dǎo)體器件的失效機(jī)制和模型
詳解一步一步設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源
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