FRAM（Ferroelectric Random Access Memory）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數據的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器(內存)。FRAM的數據保持，不僅不需要備用電池，而且與EEPROM、FLASH等傳統的非易失性存儲器相比，具有優越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。
富士通半導體FRAM產品系列非常豐富，包括獨立式記憶體、內建FRAM的RFID/驗證系統級晶片(LSI)，以及客制化解決方案。其非易失性、高速、高讀寫耐久性的車規級FRAM，可在高達攝氏125度的高溫環境下運作，且符合嚴苛的汽車行業AEC Q100標準。
