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Vishay推出先進的30 V N溝道MOSFET，進一步提升隔離和非隔離拓撲結構功率密度和能效

器件采用PowerPAK? 1212 8S封裝，導通電阻低至0.95 mW，優異的FOM僅為29.8 mW*nC

賓夕法尼亞、MALVERN — 2021年5月25日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出多功能新型30 V n溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET---SiSS52DN，提升隔離和非隔離拓撲結構功率密度和能效。Vishay Siliconix SiSS52DN采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝，10 V條件下導通電阻僅為0.95 mW，比上一代產品低5 %。此外， 4.5 V條件下器件導通電阻為1.5 mW，而4.5 V條件下導通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET開關應用重要優值系數（FOM）為29.8 mW*nC，是市場上優值系數最低的產品之一。

SiSS52DN的FOM比上一代器件低29 %，從而降低導通和開關損耗，節省功率轉換應用的能源。

SiSS52DN適用于同步整流、同步降壓轉換器、DC/DC轉換器、開關柜拓撲結構、OR-ring FET低邊開關，以及服務器、通信和RF設備電源的負載切換。MOSFET可提高隔離和非隔離拓撲結構的性能，簡化設計人員兩種電路的器件選擇。

器件經過100 % R_G和UIS測試，符合RoHS標準，無鹵素。

SiSS52DN現可提供樣品并已實現量產，供貨周期為12周。

關鍵字：Vishay MOSFET 引用地址：Vishay推出先進的30 V N溝道MOSFET，進一步提升功率密度和能效

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