GaN Systems（一家無晶圓廠的氮化鎵功率開關(guān)供應(yīng)商）推出了下一代絕緣金屬襯底（IMS3）平臺，該平臺可用于其GaN增強(qiáng)模式高功率晶體管，應(yīng)用于高效率汽車，數(shù)據(jù)中心和工業(yè)應(yīng)用中。
IMS3平臺具有顯著改善的傳熱特性，從而降低了溫度溫度并提高了功率密度，使其成為在相同功率水平下實(shí)施更小，成本更低的系統(tǒng)的參考，或者在相同尺寸下將輸出功率提高30％。
該平臺由IMS3主板和半橋電源板組成，可提供兩種功率級別，分別為3kW（GS-EVB-IMS3-66508B-RN）和6kW（GS-EVB-HB-66516T-RN） ）。半橋應(yīng)用在高導(dǎo)熱率，超低耐熱性的IMS電路板上，以實(shí)現(xiàn)更好的熱傳遞。通過高導(dǎo)熱率，IMS3的Rth_Case到散熱器的散熱性能提高了29％。該板可與新的GS-EVB-HBDB-IMS優(yōu)化的半橋隔離驅(qū)動器板一起使用，并且還與GSP665HPMB-EVBIMS2大功率全橋驅(qū)動器板兼容。
公司產(chǎn)品線總監(jiān)Peter Di Maso說：“我們最新的具有很高熱量傳遞的IMS評估平臺，結(jié)合我們的GaN PX封裝技術(shù)和靈活的設(shè)計方法，使電源系統(tǒng)工程師可以輕松地充分利用GaN及其在提供更多功率的同時降低系統(tǒng)成本的優(yōu)勢。”
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史海拾趣
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