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2019年04月29日 | 電路級(jí)靜電防護(hù)設(shè)計(jì)技巧與ESD防護(hù)方法

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靜電放電(ESD)理論研究的已經(jīng)相當(dāng)成熟,為了模擬分析靜電事件,前人設(shè)計(jì)了很多靜電放電模型。

 

常見的靜電模型有:人體模型(HBM),帶電器件模型,場(chǎng)感應(yīng)模型,場(chǎng)增強(qiáng)模型,機(jī)器模型和電容耦合模型等。芯片級(jí)一般用HBM做測(cè)試,而電子產(chǎn)品則用IEC 6 1000-4-2的放電模型做測(cè)試。為對(duì) ESD 的測(cè)試進(jìn)行統(tǒng)一規(guī)范,在工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)方面,歐共體的 IEC 61000-4-2 已建立起嚴(yán)格的瞬變沖擊抑制標(biāo)準(zhǔn);電子產(chǎn)品必須符合這一標(biāo)準(zhǔn)之后方能銷往歐共體的各個(gè)成員國(guó)。

 

因此,大多數(shù)生產(chǎn)廠家都把 IEC 61000-4-2看作是 ESD 測(cè)試的事實(shí)標(biāo)準(zhǔn)。我國(guó)的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)(GB/T 17626.2-1998)等同于I EC 6 1000-4-2。大多是實(shí)驗(yàn)室用的靜電發(fā)生器就是按 IEC 6 1000-4-2的標(biāo)準(zhǔn),分為接觸放電和空氣放電。靜電發(fā)生器的模型如圖 1。放電頭按接觸放電和空氣放電分尖頭和圓頭兩種。

 

https://mmbiz.qpic.cn/mmbiz_jpg/ewiaKibzhXCHPEJoBmHjzUxlHb4TeMiasSFpVcvicwBAL7iaB8icsdZhicrVIa6ynFXGSjTpMFnoGWRDIdYd0ZIXR4uAQ/640?wx_fmt=jpeg

 

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IEC 61000-4-2的 靜電放電的波形如圖2,可以看到靜電放電主要電流是一個(gè)上升沿在1nS左右的一個(gè)上升沿,要消除這個(gè)上升沿要求ESD保護(hù)器件響應(yīng)時(shí)間要小于這個(gè)時(shí)間。靜電放電的能量主要集中在幾十MHz到500MHz,很多時(shí)候我們能從頻譜上考慮,如濾波器濾除相應(yīng)頻帶的能量來(lái)實(shí)現(xiàn)靜電防護(hù)。其放電頻譜如下,這個(gè)圖是我自己畫的,只能定性的看,不能定量。

 

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IEC 61000-4-2規(guī)定了幾個(gè)試驗(yàn)等級(jí),目前手機(jī)CTA測(cè)試執(zhí)行得是3級(jí),即接觸放電6KV,空氣放電8KV。很多手機(jī)廠家內(nèi)部執(zhí)行更高的靜電防護(hù)等級(jí)。

 

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當(dāng)集成電路( IC )經(jīng)受靜電放電( ESD)時(shí),放電回路的電阻通常都很小,無(wú)法限制放電電流。例如將帶靜電的電纜插到電路接口上時(shí),放電回路的電阻幾乎為零,造成高達(dá)數(shù)十安培的瞬間放電尖峰電流,流入相應(yīng)的 IC 管腳。瞬間大電流會(huì)嚴(yán)重?fù)p傷 IC ,局部發(fā)熱的熱量甚至?xí)诨杵苄尽SD 對(duì) IC的損傷還包括內(nèi)部金屬連接被燒斷,鈍化層受到破壞,晶體管單元被燒壞。


ESD 還會(huì)引起 IC 的死鎖( LATCHUP)。這種效應(yīng)和 CMOS 器件內(nèi)部的類似可控硅的結(jié)構(gòu)單元被激活有關(guān)。高電壓可激活這些結(jié)構(gòu),形成大電流信道,一般是從 VCC 到地。串行接口器件的死鎖電流可高達(dá) 1A 。死鎖電流會(huì)一直保持,直到器件被斷電。不過(guò)到那時(shí), IC 通常早已因過(guò)熱而燒毀了。


電路級(jí)ESD防護(hù)方法

 

1、并聯(lián)放電器件

 

常用的放電器件有TVS,齊納二極管,壓敏電阻,氣體放電管等。如圖

 

https://mmbiz.qpic.cn/mmbiz_jpg/ewiaKibzhXCHPEJoBmHjzUxlHb4TeMiasSFx0db1smK5VTho1NcHVKdEd6UGCiayEpDZe87txga9XiajE7gSFbznDuw/640?wx_fmt=jpeg

 

1.1、齊納二極管( Zener Diodes ,也稱穩(wěn)壓二極管 ) :利用齊納二極管的反向擊穿特性可以保護(hù) ESD敏感器件。但是齊納二極管通常有幾十 pF 的電容,這對(duì)于高速信號(hào)(例如 500MHz)而言,會(huì)引起信號(hào)畸變。齊納二極管對(duì)電源上的浪涌也有很好的吸收作用。

 

1.2、瞬變電壓消除器 TVS(Transient Voltage Suppressor):TVS 是一種固態(tài)二極管,專門用于防止 ESD 瞬態(tài)電壓破壞敏感的半導(dǎo)體器件。與傳統(tǒng)的齊納二極管相比, TVS 二極管 P/N 結(jié)面積更大,這一結(jié)構(gòu)上的改進(jìn)使 TVS 具有更強(qiáng)的高壓承受能力,同時(shí)也降低了電壓截止率,因而對(duì)于保護(hù)手持設(shè)備低工作電壓回路的安全具有更好效果。

 

TVS二極管的瞬態(tài)功率和瞬態(tài)電流性能與結(jié)的面積成正比。該二極管的結(jié)具有較大的截面積,可以處理閃電和 ESD所引起的高瞬態(tài)電流。TVS也會(huì)有結(jié)電容,通常0.3個(gè)pF到幾十個(gè)pF。TVS有單極性的和雙極性的,使用時(shí)要注意。手機(jī)上用的TVS大約0.01$,低容值的約2-3分$。


1.3、多層金屬氧化物結(jié)構(gòu)器件 (MLV):大陸一般稱為壓敏電阻。MLV也可以進(jìn)行有效的瞬時(shí)高壓沖擊抑制,此類器件具有非線性電壓 - 電流 ( 阻抗表現(xiàn) ) 關(guān)系,截止電壓可達(dá)最初中止電壓的 2 ~ 3倍。這種特性適合用于對(duì)電壓不太敏感的線路和器件的靜電或浪涌保護(hù),如電源回路,按鍵輸入端等。手機(jī)用壓敏電阻約0.0015$,大約是TVS價(jià)格的1/6,但是防護(hù)效果沒有TVS好,且壓敏電阻有壽命老化。


2、串聯(lián)阻抗

 

一般可以通過(guò)串聯(lián)電阻或者磁珠來(lái)限制ESD放電電流,達(dá)到防靜電的目的。如圖。如手機(jī)的高輸入阻抗的端口可以串1K歐電阻來(lái)防護(hù),如ADC,輸入的GPIO,按鍵等。不要擔(dān)心0402的電阻會(huì)被打壞,實(shí)踐證明是打不壞的。這里不詳細(xì)分析。用電阻做ESD防護(hù)幾乎不增加成本。如果用磁珠,磁珠的價(jià)格大 約0.002$,和壓敏電阻差不多。

 

https://mmbiz.qpic.cn/mmbiz_jpg/ewiaKibzhXCHPEJoBmHjzUxlHb4TeMiasSFFicF6HPZUuzb7j0RqLeI47QiaIy6t0ibk3kEaxFljoOc6k4o1iaeaoicPNA/640?wx_fmt=jpeg

 

3、增加濾波網(wǎng)絡(luò)

 

前面提到了靜電的能量頻譜,如果用濾波器濾掉主要的能量也能達(dá)到靜電防護(hù)的目的。

 

對(duì)于低頻信號(hào),如GPIO輸入,ADC,音頻輸入可以用1k+1000PF的電容來(lái)做靜電防護(hù),成本可以忽略,性能不比壓敏電阻差,如果用1K+50PF的壓敏電阻(下面講的復(fù)合防護(hù)措施),效果更好,經(jīng)驗(yàn)證明這樣防護(hù)效果有時(shí)超過(guò)TVS。

 

https://mmbiz.qpic.cn/mmbiz_jpg/ewiaKibzhXCHPEJoBmHjzUxlHb4TeMiasSFepf4s807GgMKbOicIwmuibhpLr8vykcBzr41B7FhuqO2y2LbTpmItic7Q/640?wx_fmt=jpeg

 

對(duì)于射頻天線的微波信號(hào),如果用TVS管,壓敏等容性器件來(lái)做靜電防護(hù),射頻信號(hào)會(huì)被衰減,因此要求TVS的電容很低,這樣增加ESD措施的成本。對(duì)于微波信號(hào)可以對(duì)地并聯(lián)一個(gè)幾十nH的電感來(lái)為靜電提供一個(gè)放電通道,對(duì)微波信號(hào)幾乎沒有影響,對(duì)于900MHZ和1800MHz的手機(jī)經(jīng)常用22nH的電感。這樣能把靜電主要能量頻譜上的能量吸收掉很多。

 

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4、復(fù)合防護(hù)

 

有一種器件叫EMI filter,他有很好的ESD防護(hù)效果,如圖。EMI filter也有基于TVS管的和基于壓敏電阻的,前者效果好,但很貴,后者廉價(jià),一般4路基于壓敏電阻的EMI價(jià)格在0.02$。

 

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實(shí)際應(yīng)用中可以用下面的一個(gè)電阻+一個(gè)壓敏電阻的方式。他既有低通濾波器的功能,又有壓敏電阻的功能,還有電阻串聯(lián)限流的功能。是性價(jià)比最好的防護(hù)方式,對(duì)于高阻信號(hào)可以采用1K電阻+50PF壓敏;對(duì)于耳機(jī)等音頻輸出信號(hào)可以采用100歐電阻+壓敏電阻;對(duì)于TP信號(hào)串聯(lián)電阻不能太大否則影響TP的線性,可以采用10歐電阻。雖然電阻小了,低通濾波器效果已經(jīng)沒有了,但限流作用還是很重要的。

 

https://mmbiz.qpic.cn/mmbiz_jpg/ewiaKibzhXCHPEJoBmHjzUxlHb4TeMiasSFkHrPbxbOAUhia1yjQQSibzBCJdAektNhECcfD0LiaI3OWW9yaVeCyU7Xg/640?wx_fmt=jpeg

 

5、增加吸收回路

 

可以在敏感信號(hào)附件增加地的漏銅,來(lái)吸收靜電。道理和避雷針原理一樣。在信號(hào)線上放置尖端放電點(diǎn)(火花隙)在山寨手機(jī)設(shè)計(jì)中也經(jīng)常應(yīng)用。



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