GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SIC、金剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。它具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質和強的抗輻照能力，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。
宜普公司的EPC9130五相開發板展示出采用高頻開關eGaN?功率晶體管、極小型化及增強了效率的電源轉換方案。
宜普電源轉換公司(EPC)的EPC9130開發板是一款48 V轉換至12 V的非隔離穩壓式開發板、具用五個相位、每相具12 A、最大輸出電流為60安培，開發板的輸出功率可以超過700 W。該板具超高功率密度（每立方英寸大于1250 W），其效率高于96%。
EPC9130開發板有五個相位、在半橋配置中包含兩個100 V的增強型氮化鎵場效應晶體管（eGaN FET）EPC2045及采用uPI 半導體公司的 up1966A 柵極驅動器。發送至柵極驅動器的 PWM 信號由板載 Microchip dsPIC33 微控制器發出。該板包含所有關鍵元器件，采用可實現最佳開關性能的布局 – 物料清單/成本是每瓦（Watt）低于0.06美元。
各種新興運算應用都需要更大的功率及更小的外型尺寸。除了服務器市場不斷擴大外，其它的應用包括多人游戲系統、全自動汽車、人工智能及比特幣挖礦。面對這些應用的要求及挑戰，EPC9130大大提升48 V轉換至12 V的DC/DC轉換器的功率密度而同時使得轉換器更小型化、成本更低。
宜普電源轉換公司首席執行官Alex Lidow 說：“這種DC/DC系統的功率密度每立方英寸超過1250 W，而效率則高于96%，這是這種電源轉換器前所未有的優勢。最引人注目的是，元件的成本為每瓦低于0.06美元，比目前投產的系統還要低很多。”
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