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SiR404DP MOSFET


內(nèi)容簡介

TrenchFET 功率MOSFET,小尺寸:PPAK-SO8 封裝,低RDS(on) :VGS=10V 時1.6 mΩ,100% Rg 和UIS 測試,符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定


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發(fā)布公司: Vishay
更新時間:2012-03-15
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