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內(nèi)容簡(jiǎn)介TrenchFET 功率MOSFET，小尺寸：PPAK-SO8 封裝，低RDS(on) ：VGS=10V 時(shí)1.6 mΩ，100% Rg 和UIS 測(cè)試，符合IEC 61249-2-21的無(wú)鹵素規(guī)定 下載說(shuō)明 |
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| 發(fā)布公司： Vishay 更新時(shí)間：2012-03-15 |
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