使用 SiGe 晶體管 BFP640F 減少 1.4 - 2GHz 的 LNA 部件數量

使用 Infineon Technologies AG 的 BFP640F 的參考設計

設計簡介

使用 SiGe 晶體管 BFP640F 減少了 1.4 - 2GHz 的部件數量 LNA。采用 TSFP-4 封裝的低噪聲硅鍺 BFP640F 射頻晶體管采用減少元件數量的低成本 LNA 電路，適用于需要高增益和 0.9 dB 范圍內噪聲系數的 1.4 至 2GHz 應用

Reduced Parts Count LNA for 1.4 - 2GHz using the SiGe Transistor BFP640F. Low Noise Silicon-Germanium BFP640F RF Transistor in TSFP-4 package is shown in a reduced component count, low-cost LNA circuit suitable for 1.4 to 2GHz applications which require high gain and noise figures in the 0.9 dB range

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BFP 640F H6327	RF BJT	Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin TSFP T/R	點擊下載

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更新時間2025-04-18 00:46:14

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