注：*為必填項。 【請在報名階段填寫 ↓】 *??1、自我/團隊介紹：對硬件設計比較感興趣，仍在學習與探索中。 *??2、簡要介紹項目：驅(qū)動一顆SiC的MOS，實現(xiàn)較高功率密度的PD快充。 【請在競賽階段填寫 ↓】 *??1、描述項目詳情：最近基于氮化鎵的PD快充市場非常火爆，恰逢朋友搞了幾顆SiC的MOS玩玩，于是想為啥不基于SiC做一個PD快充設備呢。本作品采用副邊反饋方案，使用反激拓撲，并工作在QR模式， *??2、描述項目所面臨的挑戰(zhàn)及所解決的問題：①SiC-MOS的驅(qū)動方式；②發(fā)揮出SiC的優(yōu)勢并提升系統(tǒng)效率 *??3、描述項目硬件、軟件部分涉及到的關鍵點：①因為手里的SiC-MOS是一個常通型器件，所以決定配一個下管采用cascode結(jié)構(gòu)，通過驅(qū)動下管達到驅(qū)動SiC的目的。②：設計變壓器使的模塊工作在準諧振模式以降低開關損耗。③：次級采用同步整流技術(shù)以降低導通損耗。 *??4、項目材料清單展示 *??5、項目圖片上傳 ??????????5.1、PCB上印制大賽logo圖片，若無視為放棄參賽![微信圖片_20200920213729.jpg] ??????????5.2、項目其它圖片![微信圖片_20200920213712.jpg]![微信圖片_20200920213733.jpg] *?? 6、演示您的項目并錄制成視頻上傳 ??????????6.1、視頻上傳大賽官網(wǎng) ??????????6.2、B站視頻標題和鏈接 ：第五屆立創(chuàng)電子設計大賽：基于SiC的PD快充[https://www.bilibili.com/video/BV1FD4y1Z7qV/](https://www.bilibili.com/video/BV1FD4y1Z7qV/)< br> < br> < span class="colour" style="color:rgb(170, 170, 170)">< span class="size" style="font-size:12px">注意事項：①：視頻要求：請橫屏拍攝，分辨率不低于1280×720，格式Mp4/Mov，單個視頻大小限100M內(nèi)；②：視頻上傳：請同步上傳至大賽官網(wǎng)和B站（[www.bilibili.com](www.bilibili.com)），B站人氣TOP10項目將獲得1000-5000元現(xiàn)金獎勵，其它上傳項目獲得100元立創(chuàng)商城無門檻券；③：視頻標題：第五屆立創(chuàng)電子設計大賽：{項目名稱}-{視頻模塊名稱}；如第五屆立創(chuàng)電子設計大賽：《自動駕駛》項目-團隊介紹。< /span>< /span>< br> < br> *??7、是否首次公開發(fā)布：是首次公開，未曾發(fā)表過。 ??????????7.1、項目之前是否發(fā)表過或獲獎，請說明 ??????????7.2、若項目是在原有基礎上優(yōu)化，請說明優(yōu)化部分 *??8、開源文檔 *??9、參考文獻 點擊鏈接了解更多詳情：[https://www.szlcsc.com/go/dsxq](https://www.szlcsc.com/go/dsxq)