娇小w搡bbbb搡bbb,《第一次の人妻》,中国成熟妇女毛茸茸,边啃奶头边躁狠狠躁视频免费观看

加入交流群  

掃一掃,添加管理員微信
備注:參考設計,即可被拉入群
和也在搞設計小伙伴們碰一碰

收藏 

評論 

qoistoochee128 發布

NCV33172DR2G 有源高 Q 陷波濾波器的典型應用

使用 ON Semiconductor 的 NCV33172DR2G 的參考設計

 
設計簡介
NCV33172DR2G 有源高 Q 值陷波濾波器的典型應用。 NCV33172 系列單片運算放大器采用優質雙極制造和創新設計理念。這些器件每個放大器的運行電流為 180 uA,無需使用 JFET 器件技術即可提供 1.8 MHz 增益帶寬積和 2.1 V/us 壓擺率

說明

  • Typical Application for NCV33172DR2G Active High-Q Notch Filter. Quality bipolar fabrication with innovative design concepts are employed for the NCV33172 series of monolithic operational amplifiers. These devices operate at 180 uA per amplifier and offer 1.8 MHz of gain bandwidth product and 2.1 V/us slew rate without the use of JFET device technology

主要特色

  • Number of Supplies
    Dual
  • Supply Voltage
    3 to 44 V
參考設計圖片
×
相關文檔

!注意:請使用瀏覽器自帶下載,迅雷等下載軟件可能無法下載到有效資源。

 
群聊設計,與管理員及時溝通

歡迎加入EEWorld參考設計群,也許能碰到搞同一個設計的小伙伴,群聊設計經驗和難點。 入群方式:微信搜索“helloeeworld”或者掃描二維碼,備注:參考設計,即可被拉入群。 另外,如您在下載此設計遇到問題,也可以微信添加“helloeeworld”及時溝通。

 
查找數據手冊?

EEWorld Datasheet 技術支持

論壇推薦 更多
更新時間2025-04-03 16:41:39

 
EEWorld訂閱號

 
EEWorld服務號

 
汽車開發圈

 
機器人開發圈

About Us 關于我們 客戶服務 聯系方式 器件索引 網站地圖 最新更新 手機版 版權聲明

EEWORLD參考設計中心

站點相關: TI培訓 德州儀器(TI)官方視頻課程培訓

北京市海淀區中關村大街18號B座15層1530室 電話:(010)82350740 郵編:100190

電子工程世界版權所有 京B2-20211791 京ICP備10001474號-1 電信業務審批[2006]字第258號函 京公網安備 11010802033920號 Copyright ? 2005-2025 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
主站蜘蛛池模板: 乡城县| 盐源县| 赣榆县| 峨眉山市| 大邑县| 曲松县| 修文县| 宜兰市| 澄迈县| 醴陵市| 玉屏| 始兴县| 尚义县| 鄂托克前旗| 塔城市| 东丰县| 正安县| 习水县| 东安县| 开化县| 扶余县| 双江| 澎湖县| 射阳县| 嫩江县| 永嘉县| 雷波县| 郸城县| 汉寿县| 汉源县| 通榆县| 宁远县| 虞城县| 高青县| 新宁县| 岳西县| 南昌市| 阜阳市| 北辰区| 郑州市| 鄱阳县|