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具有 BFU730F 應用電路的 2.4 - 5.9GHz 寬帶 Wi-Fi LNA

使用 NXP Semiconductors 的 BFU730F 的參考設計

 
設計簡介
具有 BFU730F 應用電路的 2.4 - 5.9GHz 寬帶 Wi-Fi LNA。 BFU730F 是一款分立 HBT,采用先進的 110 GHz SiGe:C BiCmos 工藝生產。 SiGe:C是一種普通的硅鍺工藝,在NPN晶體管的基極層中添加了碳?;鶎又刑嫉拇嬖谝种屏?a href="http://www.nncyjs.com/zhuanti/jP8e5K" style="color: #4595e6;" target="_blank">晶圓加工過程中的硼擴散

說明

  • 2.4 - 5.9GHz Broadband Wi-Fi LNA With BFU730F Application Circuit. The BFU730F is a discrete HBT that is produced using advanced 110 GHz, SiGe:C BiCmos process. SiGe:C is a normal silicon germanium process with the addition of Carbon in the base layer of the NPN transistor. The presence of carbon in the base layer suppresses the boron diffusion during wafer processing

主要特色

  • Operating Frequency
    2400 to 5900 MHz
  • Output Power
    16.8 dBm
  • Gain
    20.9 dB
參考設計圖片
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器件 類型 描述 數據手冊
BFU730F,115 RF BJT Trans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R 點擊下載
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更新時間2025-04-08 23:51:59

 
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