具有 BFU768F 的低噪聲快速開啟/關閉 5-5.9 GHz Wi-Fi LNA

使用 NXP Semiconductors 的 BFU768F 的參考設計

設計簡介

采用 BFU768F 的低噪聲快速打開/關閉 5-5.9 GHz Wi-Fi LNA。 BFU768F 是一款分立 HBT，采用先進的 110 GHz SiGe:C BiCmos 工藝生產。 SiGe:C是普通的硅鍺工藝，在NPN晶體管的基極層中添加了碳

Low Noise Fast Turn ON/OFF 5-5.9 GHz Wi-Fi LNA with BFU768F. The BFU768F is a discrete HBT that is produced using advanced 110 GHz, SiGe:C BiCmos process. SiGe:C is a normal silicon germanium process with the addition of Carbon in the base layer of the NPN transistor

相關文檔

！注意：請使用瀏覽器自帶下載，迅雷等下載軟件可能無法下載到有效資源。

相關器件

器件	類型	描述	數據手冊
BFU768F,115	RF BJT	Trans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R	點擊下載

群聊設計，與管理員及時溝通

歡迎加入EEWorld參考設計群，也許能碰到搞同一個設計的小伙伴，群聊設計經驗和難點。入群方式：微信搜索“helloeeworld”或者掃描二維碼，備注：參考設計，即可被拉入群。另外，如您在下載此設計遇到問題，也可以微信添加“helloeeworld”及時溝通。

網友評論

點擊登錄后，參與評論

版權和使用說明

熱門項目

查找數據手冊?

EEWorld Datasheet 技術支持

更新時間2025-04-06 08:14:28

低噪聲、高增益RF放大器
親們，可不可以推薦一款低噪聲、高增益RF前端放大器，增益做好能達到35dBm以上的，謝謝！！！
低噪聲放大器在射頻測試測量中的應用
低噪聲放大器除了用于接收機的信號放大以外，在測試和測量中也經常用到。以下列舉了一些低噪聲放大器在射頻測試和測量中的典型應用。
《射頻與微波電路設計》--低噪聲放大器設計
《射頻與微波電路設計》--低噪聲放大器設計《射頻與微波電路設計》--低噪聲放大器設計
低噪聲放大器(LNA)——射頻集成電路設計基礎》講義
《射頻集成電路設計基礎》講義——低噪聲放大器(LNA) 目錄： 􀂉 LNA的功能和指標 􀂉 二端口網絡的噪聲系數 􀂉 Bipolar LNA &
RF低噪聲放大器設計
RF低噪聲放大器設計見附件 RF低噪聲放大器設計好東西，謝謝樓主分享了，難道是沙發？不知道是否可以仿真？回復樓主 enola 的帖子這個應該是能用ADS進行仿真的吧？
低功耗射頻低噪聲放大器2
I.特點 MAX2640電路具有以下特點: —工作頻率范圍400MHz-1500MHz; —在900M Hz頻率下，噪聲系數為0.9dB —在900MHz頻率下，增益達到15.1 dB; —溫度范圍寬(